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天天速訊:電源傳輸系統(tǒng)PDS是如何引起的?如何緩解?

2023-07-05 15:07:18 來源:戲說Altium

PCB設(shè)計中最基礎(chǔ)、最重要但卻最容易被忽略的是電源傳輸系統(tǒng)(Power Delivery System,以下簡稱PDS)。從今天開始,與大家分享一系列與電源設(shè)計相關(guān)的話題。

電子設(shè)計行業(yè)中,最最常見的問題都與電源網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計不合理有關(guān)。90%以上的EMI問題,都是由PDS引起。


(資料圖)

本文會討論PDS的歷史、問題是如何引起的以及如何緩解。

電壓源與紋波

首先我們來看下理想的電源是什么樣的。理想的電源是電壓源,電壓源的輸出阻抗為0,也就是說無論負載如何變化,輸出的電壓始終是恒定不變的。再進一步說,無論電流的頻率如何變化,輸出的電壓仍應(yīng)該為恒定值:

很不幸,真實的電源并非如此。由于輸出阻抗的存在,會導(dǎo)致輸出的實際電壓發(fā)生變化。下圖為實際電源的等效示意圖:實際的電源可以等效為理想電壓源加一個串聯(lián)的輸出阻抗:

輸出阻抗會隨著頻率的變化而變化,在某些頻率阻抗較大而在某些頻率阻抗可能較低。當(dāng)負載電流變化時,輸出阻抗的存在會導(dǎo)致電壓降,使負載兩端的電壓不再為恒定值,這一Vdd電壓的變化稱為“紋波”。紋波如果較大,則Vdd電壓會降低而導(dǎo)致電路無法正常工作。另外,紋波大是大部分系統(tǒng)EMI問題的最主要根源。紋波會通過Vdd電源平面直接耦合信號上。這也是為什么存在以下的經(jīng)驗法則:對于“關(guān)鍵信號”,只能用地平面作為參考,而非電源平面。另外,由于線性電源的紋波要明顯小于開關(guān)電源,高速串行接口的SERDES(SERializer串行器/DESerializer解串器的簡稱)一般只使用線性電源。

大家對紋波產(chǎn)生的原因經(jīng)常會有混淆。其實紋波并非是某種“神秘”源頭產(chǎn)生的噪聲,且必須通過“去耦”或者“旁路”的方式去除。紋波是由于電源輸出阻抗的存在以及負載電流的變化造成的。如果某一個電源軌道的紋波很嚴(yán)重,也就意味著PDS的阻抗在某一頻率太高了。解決的辦法就是減小這些頻率下的阻抗。最常見的做法就是添加“去耦電容”。這里強調(diào)一下,所謂“去耦”電容并沒有去除任何耦合的東西,它們只是通過充放電為開關(guān)的動作提供支持。一個更確切的名字是“庫倫桶”(Coulomb Bucket)。庫倫是電量的單位,“去耦”電容存貯了一定庫倫的電荷,當(dāng)負載電流變化(開關(guān)動作)時進行支援。明白了這個原理之后,接下去要做的就是計算出在某個頻率需要的電荷數(shù),從而推斷出“去耦”電容的容值。

電容(或者說庫倫桶)

每個工程師都被要求在邏輯器件或模擬器件周圍擺放電容。大部分情況下,擺幾個?多大容值?如何擺?完成是參照器件的數(shù)據(jù)手冊,工程師并不知道其中的原理。但事實是,這些數(shù)據(jù)手冊中定義的電容數(shù)量及擺放位置未必經(jīng)過嚴(yán)格的驗證…..

對于任何一個電容來說,都會存在兩個寄生參數(shù),寄生參數(shù)限制了電容為開關(guān)動作提供電荷的能力。下圖描述了一個理想電容,一個實際的電容以及實際電容阻抗隨頻率變化的曲線:

注意看一下,實際的電容可以等效為電容與一個電感(Lp)及一個電阻(Rp)的串聯(lián)。無論電容的容值多小,都會存在這兩個寄生參數(shù),無法避免。

圖中還列出了兩個等式,分別用于計算不同頻率下L和C的阻抗??梢钥吹剑谥绷髑闆r下(f=0),電容的阻抗Xc為無窮大,即電容不會對PDS造成任何影響;同時,電感的阻抗XL為0,也不會對PDS造成影響。當(dāng)頻率f變大時,Xc變小同時XL變大。當(dāng)達到諧振頻率Fr時,容抗Xc與感抗XL相互抵消,這時PDS負載中唯一可見阻抗就是寄生電阻Rp。也只有在這個頻率下,庫倫桶(去耦電容)在PDS中是最有效的。

如果低于Fr,電容呈現(xiàn)高阻抗,無法為負載提供電荷。如果高于Fr,電容開始表現(xiàn)得更像一個電感,該“電感”會與PCB的平面電容組成一個并聯(lián)調(diào)諧電路。并聯(lián)調(diào)諧電路在諧振頻率時會呈現(xiàn)高阻抗,這會導(dǎo)致較大的紋波。

**PDS****的阻抗Vs **頻率

當(dāng)設(shè)計PDS電源傳輸系統(tǒng)時,最重要的任務(wù)就是在盡可能寬的頻率范圍內(nèi)使其保持低阻抗。下圖展示了在Vdd和Vss之間擺放0.1uF及0.01uF的情況。藍色曲線是只擺放0.1uF電容時的阻抗曲線,可以看到在10MHz附近,阻抗最低;黃色曲線是只擺放0.01uF電容時的阻抗曲線,可以看到在13MHz附近,阻抗最低。紅色曲線則是同時擺放0.01uF及0.1uF電容時的阻抗曲線。

大部分芯片的數(shù)據(jù)手冊會建議在每個芯片電源引腳之間擺放若干以上容值的電容。從圖中可以看到,當(dāng)同時并聯(lián)0.01uF及0.1uF電容時,在6MHz到15MHz的區(qū)間,阻抗可以控制在0.1歐姆以下。但在這個區(qū)間之外,阻抗就會迅速變大。想象一下,當(dāng)頻率為100MHz時,1安培的電流變化就會產(chǎn)生0.5V的紋波。如果頻率更高,產(chǎn)生的紋波則會更大。

再給大家舉個例子,下圖展示了如果需要將PDS的阻抗控制在0.01Ohm,需要怎么使用去耦電容:

圖中左側(cè)的曲線是DC-DC的輸出阻抗;紫紅色曲線是兩個330uF鉭電容的阻抗曲線;紅色的是2個1uF的陶瓷電容;綠色是4個0.1uF的電容;藍色是8個0.01uF電容;棕色的是PCB的平面電容阻抗。Z-Total是合成之后的阻抗曲線。

以下列出了所有參與PDS計算的對象:

注意,該計算中并沒有考慮外接電容以及PCB平面電容的寄生電感。更復(fù)雜的計算方式以后另外討論。

負載與負載電流

在設(shè)計PDS前首先要考慮負載電流及其變化的原因。通常來說,邏輯電路負載變化主要來源于IC內(nèi)部的邏輯動作以及給傳輸線充電。其中,單端邏輯電路造成的瞬態(tài)電流較大。如果是信號總線中的每個信號正好同時從0變到1,其造成的瞬態(tài)電流最大。很多EMI問題以及系統(tǒng)不穩(wěn)定的問題就是這么造成的。

下圖是一個典型的帶端接的單端邏輯電路:

下圖是信號從0到1時電流及電壓的變化:

使用以上圖形可以了解兩件事:第一,電源需要先給傳輸線充電;其次,通過傅里葉變化,可以從時域到頻域,查看哪些頻率造成了這一現(xiàn)象。

下圖示例中的傳輸線長度為30cm,時鐘信號為30MHz:

可以看到,其中的頻率從80MHz一直到900MHz,但沒有一個是時鐘的諧波。其中最高的頻率是由信號的上升時間(1ns)造成;最低的頻率是由傳輸線的長度造成。

平面電容

大家都知道,隨著容值的增加,電容的體積也會不斷增大。由于尺寸和體積的限制,不可能無限制地在PCB上增加電容。所以很多情況下,都會使用平面電容,即增加一個電源平面Vdd以及一個地平面Vss,Vdd和Vss之間用很薄的電解質(zhì)隔開。電容的容值與電容極板的正對面積成正比,與極板的距離成反比,因此使用一對電源平面組成的電容容值很大。

下圖是電源平面容值(每平方英寸)與平面距離的對比曲線,介電常數(shù)為4(最常用的層壓板介電常數(shù)):

其中紅色曲線為兩個完整的平面;黑色曲線為1/3平面區(qū)域被占用的情況(比如BGA器件的過孔)。

因此,在設(shè)計PCB的層疊結(jié)構(gòu)之前,首先要確定需要多大程度地抑制紋波,并以此計算出需要的電容值。然后才能決定是否需要增加平面對(使用平面電容)。

現(xiàn)代的PCB設(shè)計大量使用高速器件(上升時間非??欤云矫骐娙莸氖褂梅浅3R?。下圖是個典型的10層板層疊結(jié)構(gòu),其中3/4層,7/8層分別構(gòu)成了兩個電源平面,為了增大平面電容,兩個平面之間的距離只有3mil。

可見,增加電源平面對是抑制EMI、減小紋波最有效的方法。那在某些情況下,比如基于成本(增加兩個層PCB本身成本高很多)和厚度(比如為了做到超薄,手機的PCB必須達到指定厚度)的考量,無法多增加兩個額外的電源平面呢?

我們來看一個實際的例子,基于厚度的考慮,下圖的PCBMCIA PCB只能使用6層。其中1,3,4,6是信號層,只有2,5是電源層,且1,3,4,5沒有鋪銅。

其等效層疊結(jié)構(gòu)如下圖所示。Vdd和GND組成了一個間距是12mil的平面電容,其等效電容值約為500pF。

再看一下下面的示例,把1,3,4,6做了鋪銅處理:1,3層鋪了GND(灰色),4,6層鋪了Vdd(黑色):

其等效層疊結(jié)構(gòu)如下圖所示,相當(dāng)于組成了5個電源平面對,每個電源平面對之間的間距只有4mil。其等效電容值為4100pF,遠高于不鋪銅情況的500pF。

可見,給信號層鋪銅也可以作為平面使用,雖然效果不是整個完整的平面層(請參考前文的圖表)。

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