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0. 引言

(資料圖片)

隨著工控行業(yè)對(duì)能效與控制精度的追求，及在寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用基礎(chǔ)上，電機(jī)控制器（驅(qū)動(dòng)器）的開關(guān)速度與控制頻率越來越高，使得EMI問題成為了行業(yè)難題，本文以MOS管逆變橋?yàn)槔?，分析?qū)動(dòng)器的干擾源特性，希望能夠給大家?guī)韼椭c思考！

1. 逆變橋波形與共模電流關(guān)系

逆變橋DC-AC示意圖如下：共模電流在開管狀態(tài)為000或111時(shí)最大，是由三個(gè)管子疊加的dV/dt產(chǎn)生；

上橋下降沿波形示例（矢量000/矢量111）

開管在其他狀態(tài)時(shí)，共模電流是由兩個(gè)管子疊加dV/dt產(chǎn)生；

上橋下降沿波形示例（矢量001~矢量110）

2. 負(fù)載與邊沿時(shí)間的關(guān)系

負(fù)載越大（輸出電流越大），邊沿時(shí)間越陡峭；

3. 負(fù)載電流與共模電流的關(guān)系

負(fù)載電流越大，共模電流Icm-min基本呈現(xiàn)隨電流增大而增大趨勢；負(fù)載電流越大共模電流Icm-max基本呈現(xiàn)持平趨勢；在負(fù)載電流為0時(shí)，Icm-min為最小，Icm-max為最大；

4. 共模電壓

開管為000或111狀態(tài)；

矢量000/矢量111狀態(tài)下的共模電壓波形

開管為其他狀態(tài)

矢量001~矢量110狀態(tài)下的共模電壓波形

5. 噪聲源頻譜分布

開管為矢量001~矢量110狀態(tài)下的共模電壓頻譜分布；

開管狀態(tài)矢量000/矢量111狀態(tài)下的共模電壓頻譜分布：

6. 思考與啟示

三相橋臂電壓不為零，是產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)器共模干擾的本質(zhì)原因；驅(qū)動(dòng)器的高頻 EMI 抑制，即為dv/dt 抑制；了解干擾源特性，才能更好地進(jìn)行抑制設(shè)計(jì)；