本期內(nèi)容:
共源級放大電路的偏置設(shè)計(jì)
共源級放大電路的小信號分析
(資料圖片)
1、共源級放大器的偏置電路設(shè)計(jì)
Fig. 1
一個(gè)合適的偏置電路設(shè)計(jì)是放大器工作的前提,偏置電路需要使MOSFET工作在飽和區(qū)。如圖Fig. 1,這是一個(gè)前幾期講過的MOSFET放大器的最基本電路。
① 電阻分壓偏置電路
Fig. 2是一個(gè)最簡單常見的偏置電路的設(shè)計(jì),對比Fig. 1有很多不用,首先柵極沒有了偏置直流電源,多了好幾個(gè)電阻,多了一個(gè)電容,這些器件都有什么用呢?
Fig. 2
Fig. 1中的供電設(shè)計(jì)是復(fù)雜的,需要兩種電源才能使放大器工作,這個(gè)是我們不希望的,所以Fig. 2中利用電阻的分壓電路,使VDD分一部分電壓給柵極提供偏置電壓,大小為VDD*R2/(R1+R2)。這樣整個(gè)系統(tǒng)就可以只用一個(gè)供電單元來提供電壓,簡化了設(shè)計(jì)。所以R1,R2的作用是分壓,為MOSFET提供柵極開啟電壓。
Fig. 2 中的R0為小信號源的內(nèi)阻,這個(gè)內(nèi)阻在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中是必須要考慮的,比如要放大的信號時(shí)麥克風(fēng)信號,那R0就表示麥克風(fēng)的內(nèi)阻。
Fig. 2 中的C0為一個(gè)隔直電容,作用是防止前級直流信號對后級偏置電壓的影響。只有交流信號能夠通過后級電路進(jìn)行放大。但是電容對于MOSFET器件來說是一個(gè)非常大的器件,增加一個(gè)電容會(huì)占用芯片很大一塊位置,所以盡量避免使用電容,如圖Fig. 3有兩級放大電路,如果前一級的輸出Vx的直流部分正好可以作為后級的直流偏置,則不需要加電容和分壓電阻。
Fig. 3
選擇合適的R0,R1,RD才能使MOSFET工作在飽和區(qū),使其具有放大作用。下期講介紹一個(gè)實(shí)際的例子來說明這些電阻應(yīng)該如何選取,大概的量級是多少。
② 自偏置電路
Fig. 4是一個(gè)自偏置電路的設(shè)計(jì),此時(shí),通過RF的電流為零,RF兩邊的電壓相等,MOSFET的漏極電壓和柵極電壓相等,都等于VDD-I_D * R_D。
Fig. 4
自偏置電路的好處是它對MOSFET的截止電壓的敏感性弱,因?yàn)楣に嚨墓顣?huì)導(dǎo)致兩片晶圓片的閾值電壓不可能完全相等,比如晶圓片A的閾值電壓為V_TH,A,晶圓片B的閾值電壓為V_TH,B,如下圖Fig. 5,如果用電阻分壓方法來提供柵極的偏置電壓,則相同的V_GS在兩個(gè)晶圓片上得到的漏極電流是不同的,這就會(huì)導(dǎo)致兩片晶圓片做出來的放大器的放大倍數(shù)不相同。
Fig. 5
但如果用Fig. 4的自偏壓電路,V_TH上升會(huì)導(dǎo)致I_D下降,I_D下降會(huì)導(dǎo)致V_{GS}上升,V_{GS}上升又會(huì)導(dǎo)致I_D上升,這個(gè)電路有個(gè)自反饋的過程在,所以他對V_TH的變化敏感性不高,在一定程度上晶圓片的公差不過過大的影響放大器的性能。
共源級放大電路的偏置部分就介紹這兩種,其他種類的偏置電路大同小異。
2、共源級放大電路的小信號分析
放大電路的小信號分析主要考慮三個(gè)參數(shù),放大倍數(shù)、輸入阻抗和輸出阻抗,這三個(gè)參數(shù)直接影響實(shí)際電路中的小信號放大倍數(shù)。我們以電阻分壓偏置電路Fig. 2為例進(jìn)行計(jì)算這三個(gè)參數(shù)。這里主要運(yùn)用MOSFET的小信號電路模型和輸入阻抗和輸出阻抗的概念。不清楚的請查看。MOSFET理解與應(yīng)用:Lec 9—NMOS、PMOS小信號電路模型總結(jié)、MOSFET理解與應(yīng)用:Lec 10—輸入阻抗和輸出阻抗的概念。
Fig. 6
如圖Fig. 6,為電阻分壓偏置電路的小信號電路模型,這里只是將Lec 9 中的模型替換了MOSFET器件,是不是超級簡單。通過這個(gè)電路圖可以求出:
從這個(gè)式子可以看出要使放大倍數(shù)提高,需要R1||R2遠(yuǎn)大于R0。這也是偏置電路設(shè)計(jì)時(shí)需要注意的一點(diǎn)。
總結(jié)一下:偏置電路是設(shè)計(jì)是為了放大器能夠正常工作,使MOSFET工作在飽和區(qū),同時(shí)引入的器件如電阻也會(huì)影響MOSFET的放大倍數(shù)。然后利用小信號模型求出具體的放大倍數(shù),輸入輸出阻抗這三個(gè)變量。
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