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基礎(chǔ)知識(shí)

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵極反偏但仍有電流，MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極絕緣，沒有電流。

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）的輸入電阻一般可達(dá)10e6 ～10e9 Ω，這個(gè)電阻從本質(zhì)上來說是PN結(jié)的反向電阻，由于PN結(jié)在反向偏置時(shí)總會(huì)有一定量的反向電流存在，這就限制了輸入電阻的進(jìn)一步提高。與JFET不同，MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極處于不導(dǎo)電（絕緣）狀態(tài)，它是利用半導(dǎo)體表面的電場(chǎng)效應(yīng)進(jìn)行工作的，也稱為表面場(chǎng)效應(yīng)器件，所以輸入電阻可大為提高，最高可達(dá)10e15Ω。

(資料圖)

MOS場(chǎng)效應(yīng)管是以二氧化硅為絕緣層的金屬-氧化物-半導(dǎo)體（Metal-Oxide-Semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)管，簡(jiǎn)稱為MOSFET。MOSFET的柵極與溝道之間由絕緣層隔離，輸入電阻比JFET高得多。此外，MOSFET因集成工藝簡(jiǎn)單，集成密度很大，而成為現(xiàn)代超大規(guī)模集成電路的主角。

MOSFET有增強(qiáng)型（E型）和耗盡型（D型）兩類，其中每一類又有N溝道和P溝道之分：

由于反型層屬于電子導(dǎo)電型半導(dǎo)體層[N]，而漏區(qū)和源區(qū)也是N型半導(dǎo)體，因此，反型層與漏區(qū)和源區(qū)之間不再有PN結(jié)勢(shì)壘，而形成導(dǎo)電溝道。

工作原理

大信號(hào)特征方程

小信號(hào)模型

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性管的比較

審核編輯：湯梓紅