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★★★ MOS-4---MOS管的開關(guān)電路★★★
(資料圖片僅供參考)
引言:負(fù)載串聯(lián)型開關(guān)相比于上節(jié)講到的接地型和跟隨型開關(guān),使用更加廣泛,無論是輕負(fù)載還是重負(fù)載,電路幾乎沒有額外電流損耗。
€1.開路漏極型開關(guān)
如下圖4-1是NMOS和PMOS的開路漏極型開關(guān),所謂開路漏極型,即負(fù)載Rload直接串聯(lián)在MOS的漏極一側(cè)。NMOS型Rload直接跨接在漏極和電源之間,PMOS型Rload直接跨接在漏極和GND之間,二者都位于MOS的主電流回路上。其中Rg是柵極限流電阻,RP是偏置電阻。
圖4-1:NMOS和PMOS開路漏極型開關(guān)
對于NMOS開路漏極型開關(guān),當(dāng)Ctrl in輸入高電平時(shí),NMOS導(dǎo)通,VDD開始直接給負(fù)載Rload供電;當(dāng)Ctrl in為低電平時(shí),NMOS不導(dǎo)通,負(fù)載Rload不工作。
對于PMOS開路漏極型開關(guān),當(dāng)Ctrl in輸入高電平(以VDD為基準(zhǔn),Vin-VDD>Vthmax)時(shí),PMOS不導(dǎo)通,負(fù)載Rload不工作;當(dāng)Ctrl in輸入低電平(Vin-VDD
根據(jù)上面描述的工作過程,開路漏極型開關(guān)又叫負(fù)載串聯(lián)型開關(guān)。
關(guān)于負(fù)載Rload放置的位置,為什么對于NMOS和PMOS,Rload均放置在漏極,這一點(diǎn)在第二節(jié)已經(jīng)講過。
€2.開路漏極型開關(guān)設(shè)計(jì)實(shí)例
MOS的負(fù)載串聯(lián)型開關(guān),MOS本身并不能像BJT一樣控制干路電流的大小,因此是負(fù)載汲取多少,上游供給多少,MOS只做一個(gè)開關(guān)使用。因?yàn)樨?fù)載串聯(lián)型開關(guān)多半使用在一定功率場景,因此其設(shè)計(jì)需要考慮如下幾個(gè)點(diǎn):
#1.輸入電壓和輸入電流
#2.MOS的RDSON
#3.MOS的驅(qū)動(dòng)閾值
對于#1.這兩個(gè)參數(shù)是選型MOS的核心參數(shù),VDSS>Vin,IDSS>Iin;RDSON是評估性能的關(guān)鍵,RDSON越小,干路功率損耗越低,MOS發(fā)熱越少;#3.MOS的驅(qū)動(dòng)閾值則是根據(jù)我們的驅(qū)動(dòng)電壓匹配可以完全驅(qū)動(dòng)的MOS,如果直接驅(qū)動(dòng)不行,則需要用BJT或者另一個(gè)MOS進(jìn)行G極驅(qū)動(dòng)。下面我們以一個(gè)實(shí)際例子來進(jìn)行選型:
*設(shè)計(jì)背景:*Vin=12V,最大持續(xù)輸入電流=2A,驅(qū)動(dòng)閾值電平0/3.3V(MCU的GPIO驅(qū)動(dòng))
設(shè)計(jì)分析:由于2A的電流其實(shí)并不大,這里可以選擇使用小信號MOS類別,根據(jù)上述參數(shù),選擇Nexperia的PMV28UNEA--NMOS,圖4-2列出了其靜態(tài)電氣參數(shù)。
圖4-2:PMV28UNEA的靜態(tài)參數(shù)
圖4-3:12V-2A,3.3V驅(qū)動(dòng)的NMOS低邊負(fù)載開關(guān)設(shè)計(jì)
設(shè)計(jì)結(jié)果:圖4-3是成型設(shè)計(jì),其中Rg可以不需要,也可以貼幾Ω都可以,Rp的取值范圍比較寬泛,盡量取值稍大。需要注意的是,上述NMOS開關(guān)是低邊開關(guān),使用場景不多,而一般使用的開關(guān)類型是高邊開關(guān)。若用NMOS強(qiáng)行設(shè)計(jì)成高邊開關(guān),那么Ctrl in端的電壓會(huì)很高以至于難以達(dá)成以低電壓來控制的目的。所以推薦使用PMOS來設(shè)計(jì)負(fù)載串聯(lián)型開關(guān)。(當(dāng)然這里也不是完全不使用和否定低邊開關(guān),需要根據(jù)實(shí)際使用需求來定)
如果使用PMOS設(shè)計(jì),根據(jù)PMOS的導(dǎo)通條件,驅(qū)動(dòng)電壓是0/3.3V,閾值比較基準(zhǔn)是VDD=12V,實(shí)際采用GPIO是無法直接驅(qū)動(dòng)的。那么有什么簡單驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)嗎?大家可以多多思考一下,我會(huì)在后續(xù)SCD系列的高邊低邊開關(guān)里面詳細(xì)講到。
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