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單節(jié)鋰電池保護(hù)解決方案(2)|世界看熱訊

2023-06-12 16:11:05 來源:硬件系統(tǒng)架構(gòu)師

CSS-2---單節(jié)電池保護(hù)解決方案

引言:上節(jié)(傳送門:CSS-1:單節(jié)鋰電池保護(hù)解決方案-1)簡單講解了PCM在充放電過程中的運(yùn)行過程,對于一個鋰電池組的PCM設(shè)計來說,不僅僅需要滿足法規(guī)要求,還需要滿足PCM的性能,達(dá)到保護(hù)指標(biāo)和保護(hù)等級。 本節(jié)通過PCM不同方案的演變和對比,在實際使用中,靈活選擇不同的方案,也更需要靈活地創(chuàng)造出新方案。

1.接地側(cè),源極背靠背


(相關(guān)資料圖)

無論哪種背靠背連接,都是為了避免體二極管流過不必要的電流,如圖2-1所示,兩個N溝道功率MOSFET的源極背靠背連接并放置在GND側(cè),這種結(jié)構(gòu)很少用于PCM,但有時用于通信系統(tǒng)的負(fù)載開關(guān)和熱插拔電路。 (傳送門:SCD-4:如何用雙MOS設(shè)計分立式負(fù)載開關(guān)? )

圖2-1:功率MOSFET的源極背靠背連接

2.高壓側(cè),漏極背靠背

如圖2-2,電源端(高壓側(cè))的兩個N溝道功率MOSFET的充電和放電是一種常見的PCM方案,其漏極背靠背連接。 Q1是用于電池放電的功率MOSFET,Q2是用于電池充電的功率MOSFET。 兩個N溝道功率MOSFET放置在正端,因此需要兩個充電泵來啟用浮動驅(qū)動。

圖2-2:高側(cè)功率MOSFET,漏極背靠背連接

如圖2-3所示,放置在電源端(高壓側(cè))的兩個充電和放電N溝道功率MOSFET源極背靠背連接。 兩個N溝道功率MOSFET使用公共源極,因此需要充電泵來驅(qū)動。 這種結(jié)構(gòu)也用于負(fù)載開關(guān)。

圖2-3:高端功率MOSFET,源極背靠背連接

3.大電流并聯(lián)多個MOSFET

為了提高電子系統(tǒng)的使用時間和待機(jī)時間,電池的容量正在增加,例如3000mAh到5000mAh甚至更大。 為了縮短充電時間和提高充電速度,通常采用快速充電,即通過更大的充電電流對電池充電,例如4A、5A、6A,甚至大到8A。 這樣一來PCM內(nèi)部功率MOSFET的功耗非常高,溫度也非常高。 為了降低溫度并確保功率MOSFET的可靠運(yùn)行,可以并聯(lián)使用兩個或多個MOSFET,如圖2-4所示。

圖2-4:大電流充放電并聯(lián)多個MOSFET

4. 冗余設(shè)計(二級保護(hù))

根據(jù)LPS安全法規(guī)的要求,如果PCM內(nèi)的功率MOSFET在插入充電器時損壞或短路,則輸入電壓直接施加到電池上,這是非常危險的。 為了提高系統(tǒng)的安全性,可以串聯(lián)連接另一組背靠背功率MOSFET,或者使用其他方案來形成冗余設(shè)計。 當(dāng)主保護(hù)失效時,還有另一個保護(hù),如圖2-5至圖2-8所示,其中圖2-6方案使用非常廣泛。

圖2-5:串聯(lián)保護(hù)模式-兩組功率MOSFET,一組位于高側(cè),另一組位于低側(cè)

圖2-6:串聯(lián)保護(hù)模式-低側(cè)兩組功率MOSFET

圖2-7:采用電子熔斷器的高側(cè)功率MOSFET

圖2-8:功率MOSFET置于低側(cè),帶有電子保險絲

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