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天天速遞!DC-DC中同步整流和異步整流的區(qū)別

2023-06-06 17:02:46 來源:硬件系統(tǒng)架構師

DC-DC----同步整流和異步整流

1.同步和異步整流


【資料圖】

同步:同步整流是采用導通電阻極低的專用功率MOS,來取代整流二極管以降低整流損耗。它能大大提高DC-DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢壘電壓而造成的死區(qū)電壓。功率MOS屬于電壓控制型器件,它在導通時的伏安特性呈線性關系。用功率MOS做整流器時,要求柵極電壓必須與被整流電壓的相位保持同步(本質是直流轉“交流”,“交流”再平滑為直流)才能完成整流功能,故稱之為同步整流。

異步:只有一個MOS管(或者說開關管)續(xù)流元件是二極管這種類型就屬于異步整流。

圖6-1:異步降壓和同步降壓

在應用中上下管都是MOS管就是同步的,只有一個上管的開關的就是非同步的,在主功率那一級中的功率開關管是我們常見的晶體管,而續(xù)流二極管變成了開關管,那么這個開關管就叫同步場效應管。一個柵極半橋驅動控制器,外圍加上上下兩個DrMOS管,那么上管就是功率管,下管是同步的場效應管,如此就可以看出它是一個同步結構的Buck電路。

2.同異步整流的區(qū)別

圖5-2:同步和異步整流電流路徑

對于異步整流,當降壓比高時,續(xù)流二極管的導通時間長,而如果Vout低,整體損耗比例會因為續(xù)流二極管的VF而變大。并且電流通過二極管只朝一個方向流動,成為不連續(xù)工作產生振鈴。對于同步整流,輕負載時,電感電流有時會變?yōu)?A,電流可以通過MOS逆流,以維持并穩(wěn)定連續(xù)工作。

如下圖5-3是異步降壓型,當輸入電壓為5V,輸出電壓為1V,振蕩頻率為1MHZ,不連續(xù)工作時的波形圖:電流通過二極管只朝一個方向流動,成為不連續(xù)工作產生振鈴。

圖5-3:異步產生的振鈴現(xiàn)象

圖5-4:同異步電流Id

異步整流的損耗=VF×Iout×(1-ON Duty)

同步整流ON時的損耗=Iout2×Ron×(1-ON Duty);Ron:下管SW的導通電阻

假設Vin=5V,Vout=1V,Iout=2A,那么異步整流二極管的損耗為:P=0.5×2×(1-0.2)=0.8W,同步整流MOS的損耗為P=2×2×0.05×(1-0.2)=0.16W,可見電流越大,損耗差別越大。

3.同異整流的死區(qū)

為避免同步整流時上管和下管同時打開,二者中間需要一段死區(qū)時間(安全區(qū)),死區(qū)時間越長,電源工作更加安全可靠,但會帶來Vout和Iout的波動及降低輸出效率,圖5-5簡單示意了一下死區(qū)的含義,集成DC-DC死區(qū)參數(shù)已經(jīng)設計好,這里不仔細展開。真正的死區(qū)時間受到PWM的上升下降快慢,上下管的寄生電容、開啟關閉時間等等的影響,這一點在柵極驅動系列里面會詳細講到。

圖5-5:死區(qū)時間

MOS中有寄生體二極管,因此當MOS為OFF時,電流仍可通過體二極管流動,如果沒有死區(qū)時間,上下MOS將同時導通產生貫通電流(圖5-6),貫通電流超過MOS的Ismax,或者沒有超過Ismax,但持續(xù)時間過長也會熱損傷燒壞MOS。

圖5-6:貫穿電流

4.小結:

異步的優(yōu)缺點:

在輸出電流變化的情況下,二極管的電壓降相當恒定,當續(xù)流二極管正向導通時,輸出電流變化,二極管的正向壓降是恒定不變的,鍺管的壓降為0.2-0.3V,硅管的壓降為0.7V。

因為二極管的電壓降恒定,所以當流過二極管的電流很大的時候,原本在二極管上很小的電壓再乘以電流損耗就會比較大,輸出的電壓很低的時候,這時候的二極管的小電壓降就占了很大的比重,所以在大電流的時候效率就會降低。

在輸入電壓比較高的時候使用可以,因為在輸出電壓高時,二極管的正向導通壓降所占的比重很小,對效率的影響比較低,而且它的電路結構比較簡單,不需要外加控制電路

異步的優(yōu)缺點:

在MOS的參數(shù)中一個很重要的參數(shù)是MOS的導通電阻Rdson ,一般情況MOS的導通電阻Rdson非常小,一般為毫歐級別,所以MOS在導通之后的壓降比較低。

在相同的條件下,一般的MOS管的導通電壓降遠遠小于普通肖特基二極管的正向導通壓降的,所以在電流不變的情況下,MOS管的損耗功率遠遠比二極管小,所以使用MOS管的效率會比使用二極管的效率高

MOS管需要驅動電路,同步整流需要為MOS管額外添加一個控制電路,使得上下兩個MOS管能夠同步,而非同步的二極管是自然整流的,不需要額外添加驅動控制電路,所以對于非同步,同步的電路會復雜一些。

MOS管不是理想的開關,它有開通時間和關斷時間,如果上下兩個管子的死區(qū)時間沒有控制好,使上管的關斷時間和下管的開通時間有重疊,造成直通現(xiàn)象,那么MOS管就會因電流過大而損壞,如果集成了上下管,這些就不需要擔心的太多。

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