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目標：設(shè)計10倍的放大電路

典型的電路圖如上所示，先忽略圖中的數(shù)值

步驟1：計算直流工作點

(相關(guān)資料圖)

采用Ltspice里 npn默認的雙極性三極管，基極和集電極之間的壓降為0.77V

步驟2：計算交流放大倍數(shù)

將交流信號加載在三極管基極后，發(fā)射極的電流交流量為

所以放大倍數(shù)為

步驟3：確定電壓電源

V1的確定，R4分壓需要最低1~2V，因為R4處于分母，如果過小，電路容易受到溫度等因素的影響，使工作點（集電極電流）更穩(wěn)定。

這個原因是，一般的VB-VE = 0.77V ，具有-2.5mV/℃的溫度特性，集電極的電流隨溫度變化為 -2.5mV/R4，R4過小，則工作點不穩(wěn)定。

步驟4：確定晶體管

晶體管根據(jù)用途大致可以分為 高頻（2SAXXXX，2SCXXXX）與低頻（2SBXXXX，2SDXXXX），進一步還可以分為小信號和大功率（在型號上不能區(qū)分）

晶體管的小信號直流放大系數(shù)按照顏色分為四類【注意交流放大倍數(shù)和直流放大系數(shù)無關(guān)】

O：70~140

Y：120~240

GR:200~400

提單：350~700

注意最大的工作電壓。

步驟5：確定發(fā)射極電流的工作點

a. fT 為晶體管的特征頻率，表示交流放大系數(shù)為1時的頻率。如果希望特征頻率最高，必須將IE設(shè)定在合適數(shù)值。

b. 對噪聲特性，存在著噪聲最小的集電極電流（~發(fā)射機電流）

但一般來說，對于同一晶體管，特征頻率最好時發(fā)射極電流和噪聲特性最好時發(fā)射機電流是不同的。對于小信號共發(fā)射極放大電路的IE大小可以從0.1mA至數(shù)毫安。

這里取發(fā)射極電流為 1mA，則R4 =2V/1mA = 2kΩ

步驟6：確定R3

放大倍數(shù)為10倍。

晶體管集電極和發(fā)射極之間的電壓為

此時晶體管的功耗為

將會全部轉(zhuǎn)換成熱。

另外，還需要注意R3的過大和過小，將會引起放大信號的削頂活削底，最好是使得VC處于VE和V1之間，那此時的放大倍數(shù)是不是只有1了？ 后面會介紹有辦法做到這樣子，即將直流工作點和交流的放大倍數(shù)分開，利用電容隔直流通交流的特點，直流電阻和交流的電阻不同即可。

步驟7：確定R1和R2

所以 R2承受的壓降為 2.77V，而R1承受的壓降為 V1-2.77V = 25-2.77=22.23V

根據(jù)直流放大倍數(shù) h_FE的取值范圍可以計算基極的電流，假設(shè)h_FE=100, 則基極電流為1mA/h_FE=0.01mA

因為有必要使得流經(jīng)R1和R2之間的電流比基極電流大許多（大于10倍以上），使得基極電流可以被忽略，這里取0.1mA。

則 R1 = 222.3kΩ，R2=27.7k歐姆

得捷上查到有 223kΩ和28kΩ的電阻，令R1=223k，R2=28k

步驟8：確定耦合電容C3和C4

耦合電容C3和C4，需要考慮

a. 耦合電容很小時，在濾波效果上難于通過低頻，頻率特性下降，可以選擇 1uF

b. 高通濾波器截止頻率 fC =1/(2 pi C R)，振幅特性下降3dB(下降到1/sqrt(2)的頻率)

步驟9：確定去耦電容C3和C4

a. 電源對地的電容為去耦電容，如果沒有這個電容，電路的交流特性變得很奇特，嚴重時會產(chǎn)生振蕩

b. 電容的容抗為 1/（2 pi f C），頻率越高，容抗越小。 但實際上內(nèi)部感抗成分因素影響導致某個頻率開始容抗反而更高，在結(jié)構(gòu)上，小容量的電容器在高的頻率處，二大容量的電容器則在較低的頻率處

大容量的電容器（1 ~ 100uF，如10uF），即使離電路遠一些也沒有問題，而小容量電容（0.01~0.1uF，如0.1uF）應(yīng)該緊靠電路安置，以減小布線的阻抗。

可以看到輸入為±1V，輸出的正向有10V，但負向并未到-10V，削底了。怎么辦呢？我們嘗試增加R4的數(shù)值，使得VC的工作點處于VE和V1的中間。

此時看到?jīng)]有削頂也沒有削底，但放大倍數(shù)變小了，因為我們改變了R4的阻止，為了不改變放大倍數(shù)，我們還有一招，如下所示，交流分量的為R4和R5的并聯(lián)，此時的并聯(lián)電阻為2k，達到了預(yù)期。