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(相關(guān)資料圖)

NMOS場效應(yīng)管通過D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間，電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置，VR1用于限制VGS間電壓，防止被擊穿。正接時(shí)候，R1、R2提供VGS電壓，MOS飽和導(dǎo)通。反接的時(shí)候MOS不能導(dǎo)通，所以起到防反接作用，利用MOS管的開關(guān)特性控制電路的導(dǎo)通和斷開，從而防止電源反接給負(fù)載帶來損壞。

PMOS場效應(yīng)管防反保護(hù)如下圖所示：

PMOS場效應(yīng)管通過D管腳和S管腳串接于電源和負(fù)載之間，電阻R1、R2為MOS管提供電壓偏置，VR1用于限制VSG間電壓，防止被擊穿。正接時(shí)候，R1、R2提供VSG電壓，MOS飽和導(dǎo)通。反接的時(shí)候MOS不能導(dǎo)通，所以起到防反接作用，利用MOS管的開關(guān)特性控制電路的導(dǎo)通和斷開，從而防止電源反接給負(fù)載帶來損壞。

由于場效應(yīng)管的加工工藝導(dǎo)致NMOS管的導(dǎo)通電阻比PMOS的小，所以最好選用NMOS。

審核編輯：湯梓紅